سامسونگ تولید اولین تراشههای ۳ نانومتری را شروع کرد
شرکت Samsung Foundry اعلام کرده که تولید انبوه تراشههای نسل اول خود را بر روی گره ۳ نانومتری آغاز کرده است. این پروسه براساس معماری جدید ترانزیستور یعنی (GAA (Gate All Around است که گام بعدی پس از FinFET است. در مقایسه با فرآیند ۵ نانومتری، تراشههای نسل اول ۳ نانومتری سامسونگ میتوانند تا ۲۳ درصد عملکرد بهتر، تا ۴۵ درصد کاهش مصرف انرژی، و ۱۶ درصد کاهش سطح را ارائه دهند. گره ۳ نانومتری نسل […]